以N2O为氮源的透明导电N掺杂CuAlO2薄膜的制备与性能
使用N2O作为N源,通过RF磁控溅射在石英基板上制备N掺杂的CuAlO2薄膜。 膜中的N浓度通过俄歇电子能谱进行了详细检测,这证实了N确实掺入了膜中。 透明导电N掺杂CuAlO2薄膜的光学和电学性质受溅射气体中N2O流量比的影响。 N掺杂的膜具有60-70%的可见光透射率和接近85%的高红外透射率。 通过使用15%N2O流量比具有最佳晶体沉积的薄膜在室温下具有3.75 x 10(-2)S cm(-1)的电导率,与未掺杂的薄膜相比,电导率提高了一个数量级。 增强的导电性能主要源自受体杂质的电离。
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