InGaAsP/InP photodetectors targeting on 1.06 um wavelength detection

上传:Zzoujy 浏览: 6 推荐: 0 文件:PDF 大小:1.06MB 上传时间:2021-04-26 11:28:05 版权申诉
InGaAsP/InP photodetectors targeting on 1.06 um wavelength detection
上传资源
用户评论
相关推荐
InGaAsP InP超辐射集成光源
为提高半导体超辐射器件的输出功率,采用直接耦合的方法,将超辐射发光管(SLD)与半导体光放大器(SOA)单片集成,制得了1.3 μm超辐射集成光源,其脉冲输出功率为50 mW,光谱宽度(FWHM)为2
PDF
815KB
2021-03-25 16:37
倾斜结构InGaAsP InP集成超辐射光源
为提高半导体超辐射器件的输出功率,在原有的将超辐射发光管(SLD)与半导体光放大器(SOA)单片集成的基础上,将器件电流注入区中心轴线倾斜6°,制得了1.5μm倾斜结构的InGaAsP/InP集成超辐
PDF
107KB
2021-04-02 02:03
InGaAsP InP大光腔结构激光器
本文针对影响InGaAsP-InP激光器温度特性的各种因素,设计并制备了大光腔(LOC)结构激光器.实验表明,这种结构改善了激光器的温度稳定性,获得了低阈值(宽接触型器件J(th)≈2.5kA/cm~
PDF
1.23MB
2021-02-21 14:50
Hybrid integrated velocity matched travelling wave InP InGaAs photodetectors wit
Hybrid integrated velocity matched travelling-wave InP/InGaAs photodetectors with silicon nitride wa
PDF
274KB
2021-04-04 06:23
RCE photodiodes at wavelength band of1.06μm
Resonant cavity enhancement (RCE) typed optical detector and modulator which operating at wavelength
PDF
383KB
2021-02-19 20:56
InGaAsP InP DH Ridge Waveguide Phase Modulator with High Modulation Efficiency
The P-p-n-N InGaAsP/InP ridge waveguide phase modulator has been fabricated and investigated at a wa
PDF
817KB
2021-02-09 17:54
InGaAsP InP正方形微腔激光器
InGaAsP/InP正方形微腔激光器
PDF
144KB
2021-05-08 13:40
1.51.7微米汽相外延InGaAsP InP连续激光器
用汽相外延和分子束外延法制作的1.67微米脉冲运转激光器已有报导。用液相外延制作的、能在室温连续运转的1.5~1.7微米激光器也已经实现。但是,当波长大于1.5微米时,In和Ρ的溶液有回融InGaAs
PDF
1.9MB
2021-02-17 00:07
InGaAsP InP BC激光器稳态特性的数值分析
本文通过采用有限差分法对描述缓变波导半导体激光器稳态特性方程组的数值分析,对InGaAsP/InP掩埋新月形激光器的阈值、波导、侧向模式进行了理论求解。结果表明,它具有良好的基横模工作特性和稳定的光场
PDF
6.68MB
2021-02-09 17:54
InAs InGaAsP InP Quantum Dot Lasers Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposit
InAs/InGaAsP/InP Quantum Dot Lasers Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
PDF
913KB
2021-04-06 08:11
Targeting SERS detection and growth inhibition of lymphoma cells using functiona
Targeting, SERS detection and growth inhibition of lymphoma cells using functionalized silver nanopa
PDF
433KB
2021-02-25 02:14
等离子诱导QWI对InP_InGaAsP结构的影响.pdf
为了比较简单地在同一外延片上得到具有不同带隙结构的有源器件与无源器件的PIC(光子集成电路)和OEIC(光电子集成电路)
PDF
788KB
2020-07-20 06:22
场助InGaAsP InP异质结半导体光电阴极的研究
本文通过对InGaAsP/InP场助异质结半导体光电阴极的材料生长、场助肖特基结的制备及阴极激活等工艺的系统研究,研制出具有较高光谱响应的半导体光电阴极,生长出优于文献报道的晶格失配率标准的材料,得到
PDF
1.44MB
2021-04-02 02:03
A Method of Lanes Fault Detection for UM BUS
UM‐BUS总线是一种可动态重构的高速高可靠通信总线,提出了一种三段式通道健康状态检测方法,构建了一个通道健康状态表,实现了通道故障的在线实时检测与动态标记,通过动态重构将通信数据动态分配到健康通道上
PDF
217KB
2021-02-23 12:20
低阈值台式条状InGaAsP InP连续辐射λ1.3微米激光器
目前有各种各样的两维光学限制的条状激光器结构。看来,台式条状掩埋激光器和具有新月形激活区的激光器最有前途。但这种激光器没有很好的电流限制,这是由于限制电流的反向偏置p-n结的漏电流或高欧姆InP的电阻
PDF
1.19MB
2021-02-09 17:54