分析电接枝技术助力高深宽比TSV方案

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随着科学技术快速的发展,电接枝技术在各个当中应用。3D-IC设计者希望制作出高深宽比(HAR>10:1)硅通孔(TSV),从而设计出更小尺寸的通孔,以减小TSV通孔群在硅片上的占用空间,最终改进信号的完整性。事实上,当前传统的TSV生产供应链已落后于ITRS对其的预测。样做的结果要么影响产品的性能,要么使工艺占有成本高得无法接受。当前,采用一种纳米技术解决方案可实现HAR>20:1的结构,而成本只占传统工艺的一部分。纳米技术(nanotechnology)是用单个原子、分子制造物质的科学技术。纳米科学技术是以许多现代先进科学技术为基础的科学技术,它是现代科学(混沌物理、量子力学、介观物理

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电接枝技术助力高深宽比TSV

3D-IC设计者希望制作出高深宽比(HAR>10:1)硅通孔(TSV),从而设计出更小尺寸的通孔,以减小TSV通孔群在硅片上的占用空间,最终改进信号的完整性。事实上,当前传统的TSV生产

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