在高深宽比TSV的ALD TiN上电镀Cu

电接枝技术助力高深宽比TSV

3D-IC设计者希望制作出高深宽比(HAR>10:1)硅通孔(TSV),从而设计出更小尺寸的通孔,以减小TSV通孔群在硅片上的占用空间,最终改进信号的完整性。事实上,当前传统的TSV生产

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2020-10-27 20:37

分析电接枝技术助力高深宽比TSV方案

随着科学技术快速的发展,电接枝技术在各个当中应用。3D-IC设计者希望制作出高深宽比(HAR>10:1)硅通孔(TSV),从而设计出更小尺寸的通孔,以减小TSV通孔群在硅片上的占用空间,最终改进

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2020-10-27 21:05

基于CMOS MEMS工艺的高深宽比体硅刻蚀方法的研究

为了满足提高MEMS传感器阵列的集成度和精度以及降低成本等需求,对高深宽比的体硅深槽刻蚀方法进行研究。在一种小尺寸、高集成度的MEMS传感器阵列的制造中,需要加工一种深宽比为25 μm/0.8 μm的

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2020-10-16 20:24

用同步辐射光刻直接在有机玻璃板上制备高深宽比亚微米光栅

为了将平面金属膜紧密耦合到纳米光栅形成的表面等离子体共振传感器,以提高灵敏度,以及利用亚微米光栅调整共振反射波长,需要制备亚微米结构光栅。介绍了一种基于X光光刻的亚微米结构光栅的制造技术。该结构光栅是

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2021-04-21 05:14

论文研究28nm高深宽比浅沟道隔离填充工艺颗粒缺陷的研究.pdf

28nm高深宽比浅沟道隔离填充工艺颗粒缺陷的研究，吴天成，程秀兰，随着集成电路工艺的不断发展，芯片的集成度越来越高，需要在一块普通的硅晶圆上集成数以百万计的有源器件（即NMOS晶体管和PMOS晶体�

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2020-03-04 19:25

基于IBE和RIECraft.io图案化的铝掩膜的高深宽比硅微结构的制造

基于IBE和RIECraft.io图案化的铝掩膜的高深宽比硅微结构的制造

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2021-05-04 01:25

直流和脉冲电镀Cu互连线的性能比较

针对先进纳米Cu互连技术的要求,比较了直流和脉冲两种电镀条件下Cu互连线的性能以及电阻率、织构系数、晶粒大小和表面粗糙度的变化。实验结果表明,在相同电流密度条件下,脉冲电镀所得Cu镀层电阻率较低,表面

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2020-08-06 11:30

方正证券：半导体行业深度解析—刻蚀工艺的双子星，大马士革与极高深宽比

方正证券最新发布的半导体行业专题报告中，深度解析了刻蚀工艺的双子星，突出介绍了大马士革与极高深宽比技术。报告以全面、深入的数据和分析，为投资者提供了关键见解。刻蚀工艺在半导体制造中扮演着至关重要的角色

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2023-11-25 02:41

ALD系统翻译

我自己翻译的ALD系统翻译,只对感兴趣ALD系统的人有用,别人是没有用的.

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2019-02-24 17:41

宽I O标准将推动TSV3D堆叠性能

JEDEC在1月为宽I/O移动DRAM发布的标准使用穿透硅通孔(TSV)在三维(3D)集成电路上连接DRAM和逻辑。凭借其512位宽的数据接口,在不增加功耗的前提下,JESD229宽I/O单倍数据速率

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2020-10-27 20:35

上润ALD直装式静压液位变送器.rar

上润ALD直装式静压液位变送器rar,上润ALD直装式静压液位变送器

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2019-09-21 13:11

TiN

在45钢表面用激光束熔覆了TiNp/镍基合金复合耐磨涂层,对涂层的组织和滑动磨损性能进行了分析,并讨论了不同激光工艺参数下涂层稀释度的变化情况。熔覆层由TiN颗粒、γ-Ni初晶以及γ-NI+(Fe,C

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2021-03-21 02:39

射频高深进阶

射频实用理论的经验化总结，完全切合当下移动终端收发信机结构，一句话很实用！

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2020-07-21 13:50

SMT钢网面积比宽深比检查小工具

主要就是一个检查SMT钢网开口数据面积比和宽深比的小工具，蛮方便的，也包含inch和MM长度单位换算，大小写字符转换，如果用得着，就下载吧，分就不要了。

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2018-12-09 18:05

gapminder.tsv

gapminder原始文本数据 下载gapminder原始文本数据 本人有的AI训练数据,在CSDN上一律免费

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2020-09-15 07:00