电接枝技术助力高深宽比TSV

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3D-IC设计者希望制作出高深宽比(HAR>10:1)硅通孔(TSV),从而设计出更小尺寸的通孔,以减小TSV通孔群在硅片上的占用空间,最终改进信号的完整性。事实上,当前传统的TSV生产供应链已落后于ITRS对其的预测。

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