论文研究28nm高深宽比浅沟道隔离填充工艺颗粒缺陷的研究 .pdf

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28nm高深宽比浅沟道隔离填充工艺颗粒缺陷的研究,吴天成,程秀兰,随着集成电路工艺的不断发展,芯片的集成度越来越高,需要在一块普通的硅晶圆上集成数以百万计的有源器件(即NMOS晶体管和PMOS晶体�
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