电子束蒸发沉积ZAO薄膜正交试验

(武汉理工大学 材料科学与工程学院, 武汉 430070)摘 要:采用电子束真空蒸发沉积薄膜的方法(EBED)制备了ZnO:Al(ZAO)透明导电薄膜。用正交试验法设计试验,并分析了制备ZAO薄膜的主要影响因素(沉积厚度、沉积速率、基片温度)对薄膜性能(透射率、电阻率)的作用。试验结果表明:采用EBED法沉积制备ZAO薄膜时,沉积速率控制为1nm/s、沉积厚度为800nm、基片温度为250°C,镀膜系统工作稳定,沉积薄膜的性能较好。 关键词:ZAO薄膜,电子束蒸发沉积,正交试验 中图分类号:TN304.055 文献标识码:A 文章编号:1003-353X(2005)07-0056-041 引言