基于平板夹具的电子束蒸发沉积薄膜中的挖坑效应分析

电阻加热具有比较好的加热均匀性,可以认为对于非升华性材料,具有比较理想的平面源发射特性n=1。而电子束加热时,通常n=2~3,甚至可以为6,发射特性参数的范围大,没有取值指导理论或规律,具有很大的不确定性,这对分析薄膜均匀性非常不利。采用细分蒸发源为无数个小的面蒸发源的思想,建立了镀膜材料出现挖坑效应时薄膜厚度均匀性的分析模型。分析结果表明电子束蒸发方法很难获得理想的平面蒸发源,不同程度的挖坑效应将使得n值不同程度地偏离n=1,挖坑效应越明显,n值越大。可以从镀膜机结构设计及薄膜沉积工艺选取两方面着手,降低挖坑效应带来的影响。该研究对认识蒸发源材料发射特性的物理含义具有重要意义,对实验工作同样具有指导性意义。