用于扇出型晶圆级封装的铜电沉积

随着集成电路设计师将更复杂的功能嵌入更狭小的空间,异构集成包括器件的3D堆叠已成为混合与连接各种功能技术的一种更为实用且经济的方式。作为异构集成平台之一,高密度扇出型晶圆级封装技术正获得越来越多的认可。此种封装解决方案的主要优势在于其封装的基片更少,热阻更低,电气性能也更。这是一个体现“超越摩尔定律”的例子,即使用 “摩尔定律”以外的技术也能实现更高的集成度和经济效益。 异构集成技术 高密度扇出型封装技术满足了移动手机封装的外形尺寸与性能要求,因此获得了技术界的广泛关注。构成此技术的关键元素包括重布线层(RDL)金属与大型铜柱镀层。重布线层连通了硅芯片上的高密度连接和印制电路板的低密度连接