新的硅片清洗技术

A.新清洗液的开发使用1).APM清洗a. 为抑制SC-1时表面Ra变大,应降低NH4OH组成比,例:NH4OH:H2O2:H2O = 0.05:1:1当Ra = 0.2nm的硅片清洗后其值不变,在APM洗后的D1W漂洗应在低温下进行。b. 可使用兆声波清洗去除超微粒子,同时可降低清洗液温度,减少金属附着。c. 在SC-1液中添加界面活性剂、可使清洗液的表面张力从6.3dyn/cm下降到19 dyn/cm。选用低表面张力的清洗液,可使颗粒去除率稳定,维持较高的去除效率。使用SC-1液洗,其Ra变大,约是清洗前的2倍。用低表面张力的清洗液,其Ra变化不大(基本不变)。d. 在SC-1液中加入HF