EDA/PLD中的.离心喷淋式化学清洗抛光硅片

系统内可按不同工艺编制贮存各种清洗工艺程序,常用工艺是:FSI“A”工艺: SPM+APM+DHF+HPMFSI“B”工艺: SPM+DHF+APM+HPMFSI“C”工艺: DHF+APM+HPMRCA工艺: APM+HPMSPM .Only工艺: SPMPiranha HF工艺: SPM+HF上述工艺程序中:SPM=H2SO4+H2O2 4:1 去有机杂质沾污DHF=HF+D1.H2O (1-2%) 去原生氧化物,金属沾污APM=NH4OH+ H2O2+D1.H2O 1:1:5或 0.5:1:5去有机杂质,金属离子,颗粒沾污HPM=HCL+ H2O2+D1.H2O 1:1:6去金属离子Al