半导体硅片的化学清洗技术 硅片的化学清洗工艺原理

硅片经过不同工序加工后,其表面已受到严重沾污,一般讲硅片表面沾污大致可分在三类: A. 有机杂质沾污: 可通过有机试剂的溶解作用,结合超声波清洗技术来去除。 B. 颗粒沾污:运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径 ≥ 0.4 μm颗粒,利用兆声波可去除 ≥ 0.2 μm颗粒。 C. 金属离子沾污:必须采用化学的方法才能清洗其沾污,硅片表面金属杂质沾污有两大类: a. 一类是沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。 b. 另一类是带正电的金属离子得到电子后面附着(尤如“电镀”)到硅片表面。硅抛光片的化学清洗目的就在于要去除这种沾污,一般可按下述办法进行清洗去除沾污。