半导体硅片DHF清洗技术

上传：u79849 浏览： 34 推荐： 0 文件：PDF 大小：50.61KB 上传时间：2020-12-13 11:06:44 版权申诉

a. 在DHF洗时,可将由于用SC-1洗时表面生成的自然氧化膜腐蚀掉,而Si几乎不被腐蚀。b. 硅片最外层的Si几乎是以 H 键为终端结构,表面呈疏水性。c. 在酸性溶液中,硅表面呈负电位,颗粒表面为正电位,由于两者之间的吸引力,粒子容易附着在晶片表面。d. 去除金属杂质的原理:1 用HF清洗去除表面的自然氧化膜,因此附着在自然氧化膜上的金属再一次溶解到清洗液中,同时DHF清洗可抑制自然氧化膜的形成。故可容易去除表面的Al、Fe、Zn、Ni等金属。但随自然氧化膜溶解到清洗液中一部分Cu等贵金属(氧化还原电位比氢高),会附着在硅表面,DHF清洗也能去除附在自然氧化膜上的金属氢氧化物。2 实验结果

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半导体硅片SC2清洗技术

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半导体硅片深度剖析：投资指南精选

本报告深入剖析了半导体行业中硅片的关键地位及投资价值。作为半导体材料的核心组成部分，硅片在集成电路制造中发挥着不可替代的作用。报告详细解读了硅片的技术特性、市场应用及未来发展趋势，为投资者提供了宝贵的

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EDA PLD中的.离心喷淋式化学清洗抛光硅片

系统内可按不同工艺编制贮存各种清洗工艺程序,常用工艺是:FSI“A”工艺: SPM+APM+DHF+HPMFSI“B”工艺: SPM+DHF+APM+HPMFSI“C”工艺: DHF+APM+HPMR

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几种基于PLC的硅片清洗设备流量控制方法

主要讲述了在半导体硅片清洗设备中常用的几种流量控制方法,主要包括工艺腔室和药液配比的流量控制,然后根据不同应用场景提出了对应使用的控制方法。单腔室硅片清洗机直接采用流量作为反馈信号进行闭环控制,通过控

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