沟槽氧化物对TiSix / Si功率二极管肖特基势垒高度的影响
沟槽氧化物对TiSix / Si功率二极管肖特基势垒高度的影响
用户评论
相关推荐
TiN覆盖层可有效降低TiSix Si功率二极管的肖特基势垒高度
TiN覆盖层可有效降低TiSix / Si功率二极管的肖特基势垒高度
PDF
987KB
2021-05-05 09:53
退火温度对Au Hg3In2Te6肖特基势垒高度的影响
退火温度对Au/Hg3In2Te6肖特基势垒高度的影响，王一义，孙颉，采用真空蒸镀法在n型Hg3In2Te6表面分别制备了Au和In电极，探讨了氮气气氛下快速退火对Au/Hg3In2Te6肖特基势垒高
PDF
0B
2020-04-18 16:52
具有高k栅极氧化物的高性能沟槽MOS势垒肖特基二极管
具有高k栅极氧化物的高性能沟槽MOS势垒肖特基二极管
PDF
1024KB
2021-02-26 02:13
金属n Ge系统中的肖特基势垒高度调制
由于锗的载流子迁移率比Si [1]高,因此作为半导体器件的助推剂,锗受到了广泛的关注。然而,由于n-Ge和金属之间的费米能级钉扎作用强,难以实现低电阻欧姆接触[2-3]。为了实现非欧姆和高电阻率的接触
PDF
232KB
2021-04-26 14:22
尺寸缩小对沟槽MOSFET性能的影响
低压TMOS的导通电阻主要是由沟道电阻和外延层电阻所组成,为了降低导通电阻,同时不降低器件其他性能,如漏源击穿电压,最直接的办法是减少相邻元胞的间距,在相同的面积下,增加元胞的集成度。基于此,本文借助
PDF
269KB
2020-10-28 05:38
论文研究溅射功率对Ca2Si薄膜性质的影响.pdf
溅射功率对Ca2Si薄膜性质的影响，任雪勇，谢泉，采用射频磁控溅射技术在Si（100）衬底上沉积了Si-Ca-Si薄膜，并在高真空条件下对样品进行退火处理，直接生成立方相Ca2Si薄膜。研究了不
PDF
0B
2019-09-20 07:05
肖特基二极管.
肖特基二极管
rar
7.63 KB
2022-06-19 15:17
反向电压应力对F注入AlGaN GaN肖特基势垒二极管的影响
The influences of reverse voltage stress on fluorine plasma treated AlGaN/GaN Schottky barrier diode
PDF
256KB
2021-02-07 17:42
沟槽数量对泰勒涡流稳定性影响的数值模拟
沟槽数量对泰勒涡流稳定性影响的数值模拟，刘栋，朱鹣，本文基于CFD方法研究了光滑壁面和沟槽壁面模型内的Taylor-Couette流动，利用PIV测试结果验证了CFD数值计算方法可靠性。讨论了光壁模型
PDF
499KB
2020-07-19 21:21
外圆柱沟槽对泰勒涡流稳定性影响的研究
外圆柱沟槽对泰勒涡流稳定性影响的研究，刘栋，杨晓勇，利用CFD数值模拟方法对光滑壁面与沟槽壁面两种同心圆柱模型环隙内的泰勒-库艾特流动进行计算，在对比光壁模型的PIV实验与CFD数值计�
PDF
0B
2020-04-14 01:07
肖特基二极管主要是肖特基二极管的他正参数
主要是肖特基二极管的他正参数，是中文的参数，供大家参考
PDF
0B
2019-01-15 17:21
元器件应用中的Linear肖特基二极管的微功率负输出
凌特公司(Linear Technology)宣布推出采用 ThinSOTTM 封装并内置肖特基二极管的 40V、200mA 负输出 DC/DC 转换器 LT3483。LT3483 采用一个限制电流的
PDF
42KB
2020-12-13 09:32
接触电阻率测量监测掺杂物偏析引起的肖特基势垒高度变化
监测接触电阻率(rho(c))的变化,以评估由掺杂物偏析(DS)引起的肖特基势垒高度(SBH)变化。该方法对于小SBH的金属-半导体触点特别有利,因为它既不需要肖特基二极管的电流-电压表征中所需的低温
PDF
708KB
2021-05-05 09:53
肖特基二极管的检测方法
肖特基二极管的结构 新型高压SBD的结构和材料与传统SBD是有区别的。传统SBD是通过金属与半导体接触而构成。金属材料可选用铝、金、钼、镍和钛等，半导体通常为硅（Si）或砷化镓（GaAs）。由于电子比
PDF
145KB
2020-07-25 01:37
关于肖特基二极管的知识
肖特基二极管简介 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与
PDF
306KB
2021-03-25 11:44