接触电阻率测量监测掺杂物偏析引起的肖特基势垒高度变化
监测接触电阻率(rho(c))的变化,以评估由掺杂物偏析(DS)引起的肖特基势垒高度(SBH)变化。该方法对于小SBH的金属-半导体触点特别有利,因为它既不需要肖特基二极管的电流-电压表征中所需的低温测量,也不受反向电容泄漏电流的影响,而反向泄漏电流通常会困扰电容-电压表征。 PtSi接触n型和p型扩散区,并使用相反或相似的掺杂剂注入预先形成的PtSi膜中,然后在不同温度下进行压入退火,以在PtSi / Si界面上诱导DS,形成PtSi / Si界面。界面偶极被确认为有效SBHs修饰从而rho(c)升高或降低的主要原因。这项工作提供了基于界面偶极子理论的接触电阻率变化的初步解释。还讨论了界面偶极子和空间电荷对有效SBH的影响和相互作用。
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