论文研究ECRMOCVD法外延生长GaN薄膜及其研究 .pdf

上传：Xieminsen 浏览： 27 推荐： 0 文件：PDF 大小：914.69KB 上传时间：2019-09-04 05:32:49 版权申诉

ECR-MOCVD法外延生长GaN薄膜及其研究，薛永奇，陈俊芳，采用电子回旋共振等离子体增强化学汽相沉积（ECR-MOCVD）在（0001）面蓝宝石衬底上低温（450oC)外延生长了GaN薄膜。通过等离子体的发射�